Как разогнать оперативную память ddr4
Содержание:
- Разгон комплекта
- Для чего используют разгон ОЗУ
- DDR4 Samsung
- Разгон ОЗУ
- Как разогнать оперативную память ddr4
- Советы специалистов
- Как и что делать
- Разгон оперативной памяти через БИОС
- Индивидуальный подход
- Разгон оперативной памяти
- И какое это значение имеет для моего компьютера?
- От чего зависит разгон?
- Шаг 4.
- Соковыжималка
Разгон комплекта
Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.
По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.
Для чего используют разгон ОЗУ
Прежде чем приступать к разгону, стоит подумать, действительно ли это необходимо. В основном, этот тип деятельности проводится только для гейминга. Погоня за высокой частотой кадров заставляет не только покупать новое оборудование, но и настраивать текущее, чтобы получить максимальную производительность.
Однако разница будет видна только в некоторых случаях. Это, в основном, относится к интегрированным видеокартам, где оперативная память потребляется видеокартой, которой оснащены процессоры Ryzen. В этом случае ресурс ОЗУ влияет на эффективную работу всего чипа. Конечно, многое зависит и от самих игр. Некоторые из них, в основном, загружают видеокарту, другие, напротив, в большей степени используют вычислительную мощность процессора и оперативную память.
Принимая решение о разгоне, сначала стоит ознакомиться со всеми важнейшими параметрами RAM. Это позволит понять ее специфику, а также лучше подготовиться к самому разгону.
Что понадобится для разгона
Как и в случае с разгоном процессора, цель – увеличить тактовую частоту. Лучшие параметры обеспечат более высокую производительность, а также большую нагрузку. Поэтому ключевым условием является выбор правильного оборудования, которое позволит провести весь процесс безопасным и стабильным способом. Итак, что же нужно?
- Материнская плата – должна быть хорошего качества, а также обеспечивать достаточный источник питания и поддержку более высоких рабочих частот ОЗУ (стоит проверить это в спецификации платы).
- Кулеры в корпусе – будут отводить избыточное тепло.
- Обновленный BIOS и UEFI – возможно, производитель материнской платы предоставил новые функции или оптимизировал предыдущие, что упростит процесс разгона.
- Программа Memtest – проверка стабильности оперативной памяти после разгона. Конечно, можно использовать и другой диагностический софт.
Основные термины
Прежде чем приступить к разгону, стоит ознакомиться с используемыми терминами:
- Тактовая частота – это скорость чтения и записи данных контроллером. Это влияет на скорость выполнения вычислений процессором.
- CL (CAS Latency) – указывает время, необходимое для считывания данных контроллером памяти с момента отправки запроса. Чем ниже значение, тем лучше.
- RCD (RAS-CAS Delay) – это время, которое проходит с момента завершения выполнения команды CAS, до начала выполнения следующей RAS.
- RAS (Row Addres Strobe) – указывает время, необходимое для активации банка памяти до загрузки строки. Этот параметр имеет мало значения для производительности.
- RP (Ras Precharge) – время, необходимое для закрытия банка памяти.
- Вольтаж – память, предназначенная для разгона, потребляет больше электроэнергии. Питание имеет решающее значение для разгона.
Важно помнить, что CL и тактовая частота должны быть в равновесии – не стоит использовать высоко тактовую память с большими задержками, ведь ее потенциал не будет раскрыт
DDR4 Samsung
Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.
Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.
Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.
Разгон ОЗУ
При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.
При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.
В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.
Как разогнать оперативную память ddr4
Для ускорения оперативки существует всего 2 способа:
- замена планок на более быстрые;
- разогнать оперативку вручную.
Замена планок ОЗУ
Самый простой, но требующий денежных затрат вариант, — установка нового модуля оперативки. Замена на ноутбуке проводится в таком порядке:
- отключить девайс от питания, выждать несколько минут до полного отключения всех индикаторов;
- снять батарею;
- поднять крышку с отсеком для слотов;
- установить новую планку RAM с лучшими характеристиками.
Самостоятельный разгон оперативки
Увеличить тактовую частоту ОЗУ абсолютно бесплатно – главная цель любителей оверклокинга. Успех зависит от постепенного изменения параметров, в определенной последовательности, с обязательной проверкой. Специалисты не советуют новичках при разгоне ОЗУ затрагивать субтайминги и работать с напряжением на контроллере памяти.
Перечислим, на каких материнских платах можно разгонять оперативку:
- на INTEL – платы на X или Z – чипсетах;
- в AMD — все платы под современные процессоры RYZEN.
Чтобы разогнать оперативную память DDR4, нужно все действия проводить в BIOS. Алгоритм зависит от того, установлен производителем XMP-профиль или нет. Он есть у всех модулей DDR4 с частотами выше 2133 МГц. Это означает, что производитель заранее заложил в сам модуль набор настроек для активации в BIOS (UEFI).
При наличии XMP-технологии все достаточно просто – нужно выставить в настройках требуемую частоту, а все остальные параметры подстроятся автоматически.
Что делать, если XMP нет или привлекает частота 3200 МГц и выше? Тогда придется искать и подбирать все параметры вручную, скрупулезно, действуя всего на полшага вперед. Весь разгон сводится к тому, что нужно найти баланс между частотой, таймингами и вольтажом. Оптимально, когда частота максимальная, а остальные 2 параметра – минимально возможные.
Алгоритм таков:
- Войти в BIOS (после включения ПК несколько раз нажать Del до запуска БИОС).
- Перейти в раздел M.I.T.
- Для упрощения задачи сначала нужно поднять напряжение и не менять его на протяжении всего разгона (таким образом избавляемся от одного параметра и работаем только с двумя). Напряжение выставляется в разделе Dram Voltage. Безопасный максимум для DDR4 — 1,35 В. Более высокий показатель (1,4-1,45 В) уже требует дополнительного обдува модуля от перегрева.
- Второй шаг – увеличить частоту с шагом 100 МГц. Если имеется XMP-профиль, то стартуем с его частоты и таймингов. Если такой опции нет, то подбор начинается с самого минимального значения (2133 МГц).
- Во время работы с частотой тайминги не трогать. Желательно вручную зафиксировать их на заводских значениях.
- После первого повышения частоты нажать на F10, чтобы закрепить результат.
- Если компьютер запускается, то проводится стресс-тест для проверки ОЗУ на стабильность работы. Для этого лучше использовать программу AIDA. Минимальное время тестирования – 10-15 мин.
При положительном результате цикл повторяется. Нужно войти в BIOS и снова увеличить показатель частоты на 100 МГц. Затем повторно провести запуск и тест на стабильность.
Если в определенный момент компьютер не запускается или слетают настройки, то потребуется увеличить тайминги. При появлении черного экрана нужно сбросить настройки БИОСа и вернуться к заводским настройкам.
В увеличении таймингов нет особых правил. Желательно, чтобы для DDR4 первые 3 параметра не превышали 22-23. После повышения таймингов запускаем компьютер и снова тестируем. Если все работает нормально, можно повысить частоту на 100 МГц. И дальше цикл повторяется.
Если нет запуска или не пройден стресс-тест, придется увеличить тайминги на 1. Количество циклов в подборе показателей зависит от стабильности функционирования оперативки и упорства (или любви к риску) у пользователя.
Важно помнить, что срок эксплуатации разогнанной памяти значительно меньше
Советы специалистов
При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие «прожорливые» программы и приложения. В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных. Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.
Как и что делать
Как можно разогнать оперативную память? Перед тем как начинать непосредственно разгон ОЗУ на вашем ПК, надо принять во внимание несколько важных нюансов, от которых будет зависеть прирост производительности, а также сама возможность нормального разгона ОЗУ. Вот они:
Необходимо обязательно учитывать, что в спецификациях центрального процессора вашего ПК производитель может указать слишком низкую частоту
Важно понимать, что данное значение совсем не «потолок». Компания просто гарантирует нормальную работу центрального процессора на данной частоте
Можно смело поднимать стандартную частоту. Разгон должен поддерживаться чипсетом вашей системной платы. Если в вашем ПК работает центральный процессор Intel, и материнка функционирует на чипсете Z, то разогнать ОЗУ можно. Сделать подобное с чипсетами H и B вы, увы, не сможете. На заблокированном чипсете вы сможете увеличить частоту ОЗУ до максимума, который зависит от центрального процессора, однако она, как правило, не превышает стоковую частоту большинства планок. То же касается и устройств AMD. Поддержка разгона памяти есть только на чипсетах B и X. Если ваш компьютер работает на каких-либо достаточно древних процессорах, то необходимо свериться со всеми спецификациями системной платы. Прежде всего потребуется узнать ее модель, после чего можно поискать в сети характеристики. Если вы узнали, что ваша системная плата разгон памяти, к сожалению, не поддерживает, то чтение мануала можно на этом заканчивать. Кроме самой возможности разгона, важно проверить также максимально возможную частоту. Разгон ОЗУ возможен и на ноутбуках, но он очень зависит от наличия в BIOS необходимых параметров. В случае если ваша материнка все-таки поддерживает разгон ОЗУ, надо проверить в каком режиме она работает. Если у вас ЦП Intel, то для нормального разгона ОЗУ совсем не обязательно чтобы он был с суффиксом K. Гнать оперативку, если позволяет чипсет, можно вообще вне зависимости блокирования множителя центрального процессора. Лучше всего гнать память используя так называемый двухканальный режим. Разумеется, можно применять и одноканальную память, но тогда вы от этого почти ничего не получите. Стоит также отметить, что при разгоне намного большую производительность показывают двухранговые плашки, когда чипы находятся по обеим сторонам платы. Разгоном памяти вы можете навредить своему ПК, но шансы быстро спалить что-нибудь внутри машины крайне невелики, если подходить к разгону без большого фанатизма и не спеша. При разгоне нельзя сразу же до предела задирать вольтаж или повышать тактовую частоту до максимумов. Обязательно приготовьтесь к тому, что ваш ПК при разгоне ОЗУ будет часто зависать. Можете не беспокоиться, это нормально. Подобное проявляется при разгоне комплектующих компьютера практически всегда. С помощью таких проблем при разгоне памяти можно легко найти необходимую частоту и определить возможный лимит вашего железа. Вам придется научиться сбрасывать BIOS, ведь разгон вполне может привести к тому, что ваша система просто перестанет включаться. При этом единственным выходом в таком случае будет именно сброс BIOS. Поэтому если у вас есть какие-то сомнения в собственных силах, то разгон ОЗУ лучше вообще не начинать. Не расстраивайтесь, если ваша память не погналась выше двух шагов. Даже такой разгон будет вполне хорош.
Разгон оперативной памяти через БИОС
Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.
Разгон ОЗУ в БИОС Award
Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.
Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.
Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.
Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ
Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор
Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.
В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.
После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.
Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.
Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI
Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.
Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.
После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).
Индивидуальный подход
Пользоваться специальными утилитами для разгона системы можно, но не нужно — их функционал хромает. |
Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в
многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем
частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной
утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными
DDR-модулями все намного сложнее.
Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы
оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и
множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако
простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам,
ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы.
Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с
помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.
На разных платформах изменение опорной частоты приводит к
разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти
требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы.
Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать
основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации
мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах,
появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти
располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона
зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак,
хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…
Разгон оперативной памяти
Все операции в оперативной памяти зависят от:
- частоты
- таймингов
- напряжения
Тестовый образец
Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.
Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)
Физические ограничения
Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.
физическое ограничение памяти
Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.
Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.
Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.
В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения
Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память
Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.
Стандартные профили таймингов
Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.
Тайминги наглядно
Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?
Частотапамяти,Mhz | Тактов засекунду,шт | Время 1таминга,нс | Таймингов достабильнойзоны, шт | Всегозатраченовремени, нс |
---|---|---|---|---|
2400 | 1 200 000 000 | 83 | 11 | 913 |
1600 | 800 000 000 | 125 | 7 | 875 |
1333 | 666 500 000 | 150 | 6 | 900 |
1066 | 533 000 000 | 180 | 5 | 900 |
800 | 400 000 000 | 250 | 4 | 1000 |
График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.
Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.
Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400
На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций
И какое это значение имеет для моего компьютера?
Представьте себе, вы после давненько совершённой покупки ноутбука решили добавить ещё одну планку оперативной памяти к уже имеющейся. Среди всего прочего, ориентируясь по наклеенному лейблу или на основании программ-бенчмарков можно установить, что по характеристикам таймингов модуль попадает под категорию CL-9 (9-9-9-24):
То есть данный модуль доставит до ЦПУ информацию с задержкой 9 условных циклов: не самый быстрый, но и не самый плохой вариант. Таким образом, нет смысла зацикливаться на приобретении планки с более низкими показателями задержки (и, теоретически, более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых количество циклов равно соответственно 4, 5 и 7.
первый модуль опережает второй почти на треть цикла
Как вы знаете по статье “Как выбрать оперативную память?“, параметры таймингов включают ещё одни важные значения:
- CL – CAS Latency – время, затрачиваемое на цикл “модуль получил команду – модуль начал отвечать“. Именно этот условный период уходит на ответ процессору от модуля/модулей
- tRCD – задержка RAS к CAS – время, затрачиваемое на активацию строчки (RAS) и столбца (CAS) – именно там данные в матрице и сохраняются (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
- tRP – заполнение (Зарядка) RAS – время, затрачиваемое на прекращение доступа к одной строчке данных и начало доступа к следующей
- tRAS – означает как долго придётся самой памяти ждать очередного доступа к самой себе
- CMD – Command Rate – время, затрачиваемое на цикл “чип активирован – первая команда получена (или чип готов к приёму команды)”. Иногда этот параметр опускается: он всегда составляет один или два цикла (1Т или 2Т).
“Участие” некоторых из этих параметров в принципе подсчёта скорости работы оперативной памяти, можно также выразить в следующих рисунках:
Кроме того, время задержки до момента, когда планка начнёт отсылать данные, можно подсчитать самому. Здесь работает простая формула:
Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)
Таким образом, из рисунка с CPUD можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 665-666 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 1333 МГц) будет выдавать примерно:
1 / 666 000 000 = 1,5 нсек (наносекунд)
периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-9 модуль будет выдавать “тормоза” периодом 1,5 х 9 = 13,5 нсек, при CL-7 : 1,5 х 7 = 10,5 нсек.
Что можно добавить к рисункам? Из них видно, что чем ниже цикл зарядки RAS, тем быстрее будет работать и сам модуль. Таким образом, общее время с момента подачи команды на “зарядку” ячеек модуля и фактическое получение модулем памяти данных, высчитывается по простой формуле (все эти показатели утилиты типа CPU-Z должны выдавать):
tRP + tRCD + CL
Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.
От чего зависит разгон?
Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше
Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти
Вольтаж
Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.
Ранг памяти
Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.
Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:
- KVR21N15S8/8 — одноранговая.
- KVR21N15D8/8 — двухранговая.
Производитель чипов
Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.
В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.
Шаг 4.
После увеличения таймингов пробуем запустить ПК и снова провести стресс-тест.
Если у нас все получается, то мы снова можем начать увеличивать частоту на 100 МГц и продолжать делать все так же по кругу.
В тот момент, когда тайминги уже достигли значений 23-24, а память все равно не запускается или ведет себя нестабильно у вас есть две альтернативы:
- Вы можете остановиться на предыдущих значениях частоты и таймингов и закончить на этом разгон.
- Не самый лучший выбор, но он все же есть. Можно «поиграть» с напряжением, увеличивая его (максимум до 1,45 V), но все это на ваш страх и риск. Потому что стабильную и долгую работу памяти после напряжения 1,35 никто вам гарантировать не может. Особенно если ваша модуль оперативной памяти не имеют радиаторов и хорошего обдува.
Пошаговая “методика разгона”.
Соковыжималка
Популярная утилита CPU-Z отображает реальную частоту памяти, а не эффективную, и многих новичков это вгоняет в ступор. |
С тем, как работает оперативная память, мы разобрались.
Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, — и вот
с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый
подразумевает повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами:
можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты
более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода
одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и
подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется
полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или
модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными
задержками.
Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь
PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты
и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей
системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом
найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться
вновь снизить задержки — как показывает практика, такой подход чаще оказывается
выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от
базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно
одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих
таймингов или чуть ниже.
При разгоне памяти приходится регулярно прибегать к помощи бенчмарков, которые помогают оценить стабильность работы. |
При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов,
измеряющих производительность системы, — именно они позволят оценить, насколько
велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может
показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты
оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера — случаются
такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без
бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский
набор из PCMark, Everest и WinRAR (встроенный тест), но
вообще список диагностических утилит для памяти обширен — выбирайте то, что
больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют
проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет
считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер
стресс-тестами вроде OCCT и S&M, дабы окончательно убедиться
в стабильности системы.
Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении
напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере
памяти — нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек.
Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном
мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные
процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на
контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для
эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение
процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на
контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.
Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет
осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо
изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно
рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не
в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно,
перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке
— это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS.
Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои
собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как
названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.
И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном
этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает
лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для
нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она
банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет — тогда уже
можно и паниковать.